Задания для студентов на 29.04.20. гр. ТО307 Электротехника и электроника.

ТО 307 Электротехника и электроника

Преподаватель: В.П.Шкитенков Электронный адрес почты: schkitenkoff@yandex.ru

Задание выдано 29.04.2020. Задание выполнить до 30.04.2020г.

Тема: Полевые транзисторы.

I.Изучить. § 6.2.2. [1]

II.Ответить на тест по теме полевые транзисторы.

1. Какой транзистор называется полевым?

1) Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем

2) Это транзистор, в котором физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков - инжекцией и диффузией неосновных носителей, дрейфом основных и неосновных носителей заряда

3) Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда разных знаков, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим током

4) Это транзистор, в котором маленький ток затвора позволяет управлять большим током сток-исток.

2. Каково отличие принципа работы полевого транзистора от биполярного?

1) И в полевом, и в биполярном транзисторах управление осуществляется входным током. Разница заключается только в том, что входное сопротивление полевого транзистора немного больше, чем у биполярного

2) И в полевом, и в биполярном транзисторах управление осуществляется входным напряжением. Разница заключается только в том, что входное сопротивление полевого транзистора значительно больше, чем у биполярного

3) В полевом транзисторе управление осуществляется входным напряжением, а в биполярном - входным током. Это также означает, что входное сопротивление полевого транзистора значительно больше, чем у биполярного

4) В полевом транзисторе управление осуществляется входным током, а в биполярном - входным напряжением. Это также означает, что входное сопротивление полевого транзистора значительно меньше, чем у биполярного

5) Все ответы неверны

3. Какие выделяют основные параметры полевых транзисторов?

1) Крутизна характеристики S, входное и выходное сопротивления Rвх. и Ri, коэффициент усиления u, емкость между затвором и истоком Сзи

2) Входное и выходное сопротивления Rвх. и Ri, коэффициент усиления u, входной ток Iвх., емкость между затвором и стоком Сзс

3) Входное и выходное сопротивления Rвх. и Ri, входной ток Iвх., емкость между затвором и истоком Сзи

4) Крутизна характеристики S, входное и выходное сопротивления Rвх. и Ri, коэффициент усиления u

5) Все ответы неверны

4. Имеется ли в полевых транзисторах диффузионная емкость и почему?

1) Да, поскольку имеется обеднённый слой на месте контакта двух проводников, который создаёт внутреннее поле

2) Да, поскольку в полевых транзисторах имеется инжекция, обусловленная изменением приложенного напряжения

3) Нет, поскольку в полевых транзисторах не наблюдается концентрация инжектированных носителей вблизи границ p-n-перехода

4) Нет, поскольку в полевых транзисторах отсутствует инжекция

5. Как зависит быстродействие транзистора от его насыщения?

1) Быстродействие транзистора никак не зависит от его насыщения

2) Чем больше насыщение транзистора, тем больше его быстродействие

3) Чем больше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие

4) Чем меньше насыщение транзистора, тем меньше его быстродействие.

III. Выполнить рис. 6.9 а. Конструктивная схема и полевого транзистора.

IV. Выполнить рис. 6.10.а УГО полевого транзистора.

ЛИТЕРАТУРА:

1. В.М. Прошин «Электротехника» М «Академия» 2015

Электронные ресурсы.

2. https://zen.yandex.ru/media/asutpp.ru/bipoliarnye-tranzistory-obiasniaiu-ustroistvo-i-princip-raboty-prostym-iazykom-5dec19b716ef9000ad350057?utm_source=serp